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经营范围
发明名称
METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING NOTCHED GATE MOSFET
摘要
申请公布号
KR100594325(B1)
申请公布日期
2006.06.21
申请号
KR20050015372
申请日期
2005.02.24
申请人
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人
CHOI, BYUNG YONG;LEE, CHOONG HO;KIM, DONG WON;PARK, DONG GUN
分类号
H01L21/336
主分类号
H01L21/336
代理机构
代理人
主权项
地址
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