| 发明名称 | 基片抛光设备 | ||
| 摘要 | 一种基片抛光设备(10)抛光基片到平面镜面光洁度。基片抛光设备(10)具有基片(20)被压靠到其上的抛光台(12)、从抛光台(12)发射测量光到基片(20)并接收从基片(20)的反射光用于测量基片(20)上的薄膜的光发射和光接收装置(24)、用于供给测量光和反射光通过的测量流体到设置在所述抛光台的光发射和光接收位置的流体腔(68)的流体供给通道(42)、和用于控制到流体腔(68)的测量流体的供给的流体供给控制装置(56，58)。 | ||
| 申请公布号 | CN1791491A | 申请公布日期 | 2006.06.21 |
| 申请号 | CN200480013882.X | 申请日期 | 2004.05.19 |
| 申请人 | 株式会社荏原制作所;株式会社岛津制作所 | 发明人 | 广川一人;小林洋一;中井俊辅;大田真朗;佃康郎 |
| 分类号 | B24B49/12(2006.01);B24B37/04(2006.01);H01L21/304(2006.01) | 主分类号 | B24B49/12(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 蔡洪贵 |
| 主权项 | 1、一种基片抛光设备，包括：抛光台，基片被压靠在上面；从所述抛光台发射测量光到所述基片并接收从所述基片的反射光、以测量所述基片上薄膜的光发射和光接收装置；用于供给测量流体到设置在所述抛光台的光发射和光接收位置的流体腔的流体供给通道，所述测量光和所述反射光通过所述测量流体；以及用于控制到所述流体腔的所述测量流体供给的流体供给控制装置。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||