氮化物半导体发光器件

摘要

一种氮化物半导体发光器件，具有一个单量子阱结构或多量子阱结构的有源层(14)，其由含铟和镓的氮化物半导体构成。一个由含铝和镓的P型氮化物半导体构成的第一P型覆盖层(61)被设置与有源层的一个面接触。一个由含铝和镓的P型氮化物半导体构成的第二P型覆盖层(62)被设置在第一P型覆盖层上。第二P型覆盖层具有比第一P型覆盖的带隙大的带隙。一个n型半导体层(13)设置与有源层(14)的另一面接触。

主权项

1.一种氮化物半导体发光器件，其特征在于包括：一个有源层，该有源层由含铟和镓的氮化物半导体构成，并设置在一个第一n型覆盖层和一个第一P型覆盖层之间，所述第一n型覆盖层由具有比所述有源层小的热膨胀系数的n型InxGa1-xN构成，其中0≤x＜1，所述第一P型覆盖层由具有比所述有源层小的热膨胀系数的P型AIyGa1-yN构成，其中0≤y≤1，其中所述有源层为单量子阱结构或多量子阱结构，由此发出能量比构成所述有源层的所述氮化物半导体的固有带隙能量低的光，所述有源层和所述第一n型覆盖层的总厚度为300埃以上。