发明名称 带处理功能的存储器
摘要 本发明揭示一种使用的晶体管等的数量少、能用简单的动作进行处理、并且故障少的带处理功能的存储器。W单元(34)包括强电介质电容器CF。通过晶体管T1,将强电介质电容器CF的一端(40)连接到数据线D上。通过晶体管T2,将强电介质电容器CF的一端(40)连接到内部数据线MW上。Q单元(36)的结构也大致相同。用数据线D从外部进行信息的读写。用内部数据线MW、MQ将W单元(34)和Q单元(36)的内容送到加法器(28)中,并通过缓冲器电路(32)将运算结果写入到Q单元(36)中。借助于使用强电介质电容器CF,能用简单的结构实现功能存储器。
申请公布号 CN1260735C 申请公布日期 2006.06.21
申请号 CN98801358.4 申请日期 1998.07.17
申请人 罗姆股份有限公司 发明人 田丸啓吉;野澤博;藤井芳郎;神澤公
分类号 G11C11/40(2006.01);G11C11/22(2006.01) 主分类号 G11C11/40(2006.01)
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 代理人 孙敬国
主权项 1.一种带处理功能的存储器,包括:存储信息的存储元件,利用强电介质的滞后特性存储信息的强电介质存储元件作为存储元件;对于存储在存储元件中的信息进行规定的处理的内部处理元件;控制是否能在所述存储器的外部和所述存储元件之间进行信息交换的对外开关元件;以及控制是否能在所述内部处理元件和所述存储元件之间进行信息交换的内部开关元件,所述内部处理元件在内部开关元件为接通状态时从所述存储元件中读出信息,在对读出的信息进行规定的处理后,将处理结果写入到存储元件中,其特征在于,还包括:设置在所述存储元件与内部处理元件之间的信号传输通路中的与内部开关元件串联配置的读写切换元件,和用于将所述处理结果写入到存储器元件中的缓冲器电路,在从所述存储元件将信息读出到内部处理元件中时,内部开关元件和读写切换元件为接通状态,在将所述处理结果写入到存储元件中时,内部开关元件为接通状态、同时读写切换元件为断开状态,并且用所述缓冲器电路将处理结果写入到存储元件中。
地址 日本京都府京都市