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经营范围
发明名称
METHOD FOR FORMING CAPACITOR OF SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
申请公布号
KR20060067615(A)
申请公布日期
2006.06.20
申请号
KR20040106437
申请日期
2004.12.15
申请人
HYNIX SEMICONDUCTOR INC.
发明人
RHO, IL CHEOL;CHUNG, JIE WON
分类号
H01L27/108
主分类号
H01L27/108
代理机构
代理人
主权项
地址
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