MOS TRANSISTOR HAVING LOW GATE RESISTANCE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME,申请号KR20040106126-传众专利搜索

发明名称	MOS TRANSISTOR HAVING LOW GATE RESISTANCE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
摘要
申请公布号	KR20060067372(A)	申请公布日期	2006.06.20
申请号	KR20040106126	申请日期	2004.12.15
申请人	DONGBU ELECTRONICS CO., LTD.	发明人	AN, HEE BAEG
分类号	H01L21/336	主分类号	H01L21/336
代理机构		代理人
主权项
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