首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 Method for examining the defect of gate oxide layer in semiconductor device
摘要
申请公布号 KR100591149(B1) 申请公布日期 2006.06.19
申请号 KR20030098360 申请日期 2003.12.27
申请人 发明人
分类号 H01L21/66;H04Q9/00 主分类号 H01L21/66
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com