Method for fabricating semiconductor device having ONO structure and high voltage device,申请号KR20030098308-传众专利搜索

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发明名称	Method for fabricating semiconductor device having ONO structure and high voltage device
摘要
申请公布号	KR100591170(B1)	申请公布日期	2006.06.19
申请号	KR20030098308	申请日期	2003.12.27
申请人		发明人
分类号	H01L27/04	主分类号	H01L27/04
代理机构		代理人
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