| 摘要 |
本发明揭示一种记忆体单元(100、101)，其包括具有不同量级之相关隔离凹陷(908)之装置。一对应电晶体之有效通道宽度系实质上等于一通道之顶面宽度加上该等隔离凹陷(908)所形成之一侧壁宽度之两倍。在一静态随机存取记忆体(SRAM)单元(100、101)中，一锁存电晶体(112)藉由形成更大的凹陷(908)而此一相关的传输电晶体(108)具有一更大的有效通道宽度，且因此在围绕该锁存电晶体(112)并限制传输电晶体之此类凹陷之隔离层(906)中之侧壁(1306、1310)更大。在该记忆体单元(100、101)制造期间，使用一遮罩来遮盖传输电晶体(102)之一区域，同时使该锁存电晶体(112)之一区域曝露。因此，形成该锁存电晶体(112)周围之一隔离层中之凹陷时并未影响该传输电晶体(108)周围之一对应区域。 |
