具有应变矽之半导体结构及其制造方法

摘要

本发明揭露一种具有应变矽之半导体结构及其制造方法。首先，提供一基板。接着，通入一混和气体，以形成一层氮碳化矽缓冲层于上述之基板上，其中混和气体可用以提供矽、氮以及碳的反应源。然后，在预设温度与预设压力下，通入可成长矽晶原料气体，以在上述之氮碳化矽缓冲层上成长应变矽薄膜。