发明名称 包含光伏打活性半导体材料之光伏打电池
摘要 本发明系关于一种包含光伏打活性半导体材料之光伏打电池,其中该光伏打活性半导体材料系一种包含式(I)之二元化合物或式(II)之三元化合物之p型或n型掺杂半导体材料:
申请公布号 TW200620689 申请公布日期 2006.06.16
申请号 TW094137544 申请日期 2005.10.26
申请人 巴地斯颜料化工厂 发明人 汉斯-乔斯夫 史戴兹尔
分类号 H01L31/0264 主分类号 H01L31/0264
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 德国