快闪记忆元件及其制造方法

摘要

一种快闪记忆元件的制造方法，系先于一基底上形成数条包含穿隧氧化层、以及第一导体层的堆叠结构。然后，于堆叠结构之间的基底内形成数个埋入式掺杂区，再于基底上形成一介电层覆盖堆叠结构。然后，回蚀刻该介电层，续以残留的部分介电层作罩幕，去除部分第一导体层厚度。最后，去除剩余的介电层，再于第一导体层表面依序形成一层间介电层与第二导体层。本发明因采用自动对准方式定义形成浮置闸极，且浮置闸极结构上窄下宽，可简化制程并提高堆叠式闸极的闸极耦合率。