升起式源极/汲极之制造方法及其在半导体元件之应用

摘要

一种制造升起式源极／汲极邻近于基材上之电晶体之闸极的间隙壁之方法，以及应用此升起式源极／汲极之积体电路的半导体元件。在一实施例中，本方法包括定位闸极，以使此闸极之方位实质上沿着基材之＜100＞方向。本发明亦包括提供半导体材料邻近于闸极之间隙壁，以在实质上沿着基材之＜100＞方向的方位上形成升起式源极／汲极之升起式源极／汲极层。