| 摘要 |
本发明系关于一种具有一包含一双极电晶体之半导体本体(12)的半导体装置(10)，该双极电晶体具有分别属于一第一传导类型、一与该第一传导类型相反之第二传导类型、及该第一传导类型之一发射极区域(1)、一基极区域(2)及一集极区域(3)，其中，在投影中观察，该发射极区域(1)定位于该基极区域(2)之上或之下，且该集极区域(3)与该基极区域(2)横向地接界。根据本发明，该基极区域(2)包含一高度掺杂之子区域(2A)，该子区域(2A)之掺杂浓度在厚度方向上具有一三角形形状(delta–shaped)之分布，且该高度掺杂之子区域(2A)横向地延伸至该集极区域(3)为止。此横向双极电晶体具有极好高频特性及该基极区域与该集极区域(2、3)之间之一相对较高之击穿电压，此意味该装置适用于高功率应用。该掺杂浓度较佳处于约10^19at／cm^3与约10^20at／cm^3之间，且该子区域(2A)之厚度处于1 nm与15 nm之间且较佳处于1 nm与10 nm之间。本发明亦包含一种制造此装置(10)的方法。 |
