发明名称 记忆装置用之隔离控制电路及方法
摘要 本发明提供一种半导体记忆体,其包括一记忆单元阵列、一感应放大器、一插入于该感应放大器与该记忆单元阵列之一位元线之间的隔离装置,及电路,该电路用于在该隔离装置将该位元线与该感应放大器电隔离时,将包含于记忆单元阵列之一记忆单元中之电荷转移至该位元线,并且在该电荷已被转移至该位元线之后,使得该隔离装置将该位元线电连接至该感应放大器。
申请公布号 TW200620314 申请公布日期 2006.06.16
申请号 TW094117702 申请日期 2005.05.30
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 崔锺贤;闵泳善
分类号 G11C7/10 主分类号 G11C7/10
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 韩国