发明名称 | 具有快速预充电位元线之记忆体阵列 | ||
摘要 | 本发明提供一种具有一特殊行之记忆体单元与一参考位元线之积体电路记忆体阵列,其中参考位元线作为供阵列中之位元线上之共用预充电与箝位控制之参考。预充电电晶体系连接至阵列中之之各条位元线,并适合于将各条位元线上之电压预充电至靠近一目标位准。一侦测器具有连接至参考位元线之输入及连接至复数条位元线上之预充电电晶体之输出。侦测器产生一预充电信号,其在参考位元线具有靠近目标位准之电压时断开预充电电晶体,并在参考位元线具有低于目标位准之电压时导通预充电电晶体。 | ||
申请公布号 | TW200620310 | 申请公布日期 | 2006.06.16 |
申请号 | TW093138654 | 申请日期 | 2004.12.13 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 周秀玲;林永丰;林俞伸 |
分类号 | G11C7/06 | 主分类号 | G11C7/06 |
代理机构 | 代理人 | 林素华 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |