纵型闸极半导体装置及其制造方法

摘要

本发明系关于一种纵型闸极半导体装置及其制造方法。目的系在于：提供一种在不增大源极区域的接触电阻的情况下，可谋求小型化的纵型闸极半导体装置及其制造方法。发挥电晶体作用的第1区域11，具有：汲极区域111、形成在汲极区域111上侧的体(body)区域112、形成在体区域112上侧的源极区域113A、和形成在体区域112中上被埋入了闸极电极120的沟渠。在延在于第2区域12的体区域112的上侧形成有源极区域113B。构成沟渠的上缘部的源极区域113A、113B形成为带圆弧状的形状。