| 摘要 |
本发明提出一种于UV微影技术中改善高黏滞性厚膜光阻涂布制程的方法，将两同质但溶剂含量不同之厚膜光阻，先将黏滞性较低的光阻以旋涂方式涂布至晶片上，再将高黏滞性的光阻以螺旋方式由外向内涂布，并以重量换算厚度以改善传统旋涂方式造成厚度不易控制的问题；再者将涂布完成之晶片于软烤(Soft Bake)过程中将晶片以及缓慢之转速旋转，利用光阻本身之流动性随软烤时间递减的特性来改善光阻之平整度。以MicroChem Corp (MCC)所开发之厚膜光阻SUB 2035及SU8 2100为例，其黏滞系数分别为7000(cSt)及45000(cSt)，将黏滞系数低的光阻SU8 2035以固定转速旋涂至晶片后，将黏滞系数高的光阻SUB 2100以螺旋方式由晶片外围向中心涂上，并同时量测重量，以重量换算要求的厚度，完成后于热板(hot plate)上加热，当温度超过光阻的玻璃转化温度(Glass Transition Temperature，Tg)后，光阻因黏滞性降低，加上光阻本身之内聚力及表面张力，会使得光阻均匀的摊涂至晶片表面；并于软烤步骤时，以缓慢之速度转动晶片，如此将对光阻之平整度有极大之改善，以厚度500μm光阻为例，平整度可达±10μm。 |
