半导体晶片之堆叠构造及其制造方法

摘要

本发明半导体晶片之堆叠构造及其制造方法，其包括有一基板，其设有一上表面及一下表面，该下表面形成有复数个第一电极。一凸缘层为一框型结构，系叠合于该基板之上表面，而与该基板形成有一凹槽，该凸缘层设有复数个第二电极及复数个第三电极。一下层晶片，其系设置于该基板之上表面上，并位于该凹槽内。复数条第一导线系由凸缘层上之第一电极打线至该下层晶片上。复数个隔绝元件系设置于该下层晶片上。一上层晶片系设置于该下层晶片上方，被该复数个隔绝元件支撑住。复数条第二导线系由该上层晶片打线至该凸缘层之第三电极上。一封胶层系用以将该上层晶片及该下层晶包覆住。