防止击穿的半导体元件的制造方法

摘要

一种防止击穿的半导体元件的制造方法，此方法适用于基底，且基底中已形成有平行排列的多数个元件隔离结构以定义出多数个主动区，且这些元件隔离结构之上表面突出于基底表面。另外，在基底上已形成有平行排列的多条导体层，这些导体层与元件隔离结构交错，在导体层下方且位于每两个元件隔离结构之间已形成有多数个沟渠式元件，而沟渠式元件包括设置于沟渠底部的第一导电型掺杂区。此方法包括先于元件隔离结构及导体层之侧壁形成间隙壁，再以间隙壁为罩幕进行掺质植入制程，以于两相邻之第一导电型掺杂区之间形成第二导电型掺杂区。