发明名称 | 减少微尘产生之电浆蚀刻方法 | ||
摘要 | 一种减少微尘产生之电浆蚀刻方法,适于在基底中形成沟渠,其包括以一第一蚀刻条件,对一基底进行一第一蚀刻步骤,以及以一第二蚀刻条件,对基底进行第二蚀刻步骤,其中在第一蚀刻步骤与第二蚀刻步骤之间进行一转换步骤,于其中调整反应室压力条件、气体流量、电浆电源功率或反应室温度等环境参数至少其中之一,并使环境参数在蚀刻步骤与转换步骤之间的变化量小于15%,以维持反应环境之稳定,并可藉以避免微尘掉落。之后,在进行氧电浆清洁步骤时,更使反应室压力提升为40 mTorr至80 mTorr,进而避免球型缺陷之产生。 | ||
申请公布号 | TW200620453 | 申请公布日期 | 2006.06.16 |
申请号 | TW093138694 | 申请日期 | 2004.12.14 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 简俊贤;陈重吉 |
分类号 | H01L21/3065 | 主分类号 | H01L21/3065 |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |