| 摘要 |
本发明之具有交叉点型记忆胞阵列之半导体记忆装置中，对应记忆胞记忆之多值资讯之各记忆位准之可变电阻元件之电阻值依大小顺序排列时之邻接之两个记忆位准间之各参考位准，系藉由选择记忆胞之电阻为两个记忆位准之高电阻侧之高电阻记忆胞之读取电流，取决于记忆胞阵列之其他非选择记忆胞之电阻状态之分布图案而成为最大状态之第一电流状态；及选择记忆胞之电阻为两个记忆位准之低电阻侧之低电阻记忆胞之读取电流，取决于记忆胞阵列之其他非选择记忆胞之电阻状态之分布图案而成为最小状态之第二电流状态之中间状态之参考电流分别规定。 |
