发明名称 被吸着物之处理方法及静电吸着方法
摘要 本发明系提供一种静电吸着技术,能够将由绝缘体所构成之工件、或由接着半导体晶圆类被加工物所构成之工件,吸着固定在平台上。本发明之解决手段系先将表面形成有电子装置之半导体基板7接着至用以支撑该半导体基板7之玻璃基板8而制备出积层体15,并贴附导电膜9;然后,将积层体15置于位于乾蚀刻装置等之真空腔室12内之吸着平台10上。之后,施加电压于内部电极11,使导电膜9与吸着平台10的表面产生正.负电荷,藉由其间所产生之静电力,将积层体15吸着固定于吸着平台10。接着,对已吸着固定于吸着平台10上之积层体15进行乾蚀刻、化学气相沉积、物理气相沉积等各种加工处理。
申请公布号 TW200620528 申请公布日期 2006.06.16
申请号 TW094135825 申请日期 2005.10.14
申请人 三洋电机股份有限公司;关东三洋半导体股份有限公司 发明人 龟山工次郎;铃木彰;冈山芳央;梅本光雄
分类号 H01L21/68;H01B5/14 主分类号 H01L21/68
代理机构 代理人 洪武雄;陈昭诚
主权项
地址 日本