半导体元件及其制造方法

摘要

一种可改进元件电流之金氧半电晶体MOSFET元件，和其制造方法以选择性的产生应变分别至N型和P型MOSFET元件通道区。此方法包括形成一压应力氮化层于P型MOSFET元件上和一张应力氮化层于N型MOSFET元件上。之后形成一层间介电层于金氧半电晶体MOSFET元件上方，其层间介电层之应力绝对值小于上述任一应力氮化层。