发明名称 | 高压元件与其制造方法 | ||
摘要 | 一种高压元件的制造方法,包括先于基底中形成第一导电型掺杂区,再于基底中形成至少二个第二导电型掺杂区。二个第二导电型掺杂区分别设置于第一导电型掺杂区两侧的基底中。第一导电型掺杂区与此二个第二导电型掺杂区之间分别设置有一个隔离区。之后,于二个第二导电型掺杂区之间的基底上形成一个闸极结构。接着,于闸极结构两侧的基底中形成第二导电型源极区/汲极区。藉由适当设定第一导电型掺杂区与第二导电型掺杂区间的距离,使高压元件可以满足不同的高崩溃电压的需求。此制造方法可以与低压元件的制造整合在一起,而可以降低成本。 | ||
申请公布号 | TW200620659 | 申请公布日期 | 2006.06.16 |
申请号 | TW094143862 | 申请日期 | 2005.12.12 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 陈立哲 |
分类号 | H01L29/76;H01L29/94 | 主分类号 | H01L29/76 |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |