自偏压电晶体结构以及具有少于六个电晶体之静态随机存取记忆体(SRAM)单元

摘要

藉由提供自偏压半导体开关，可实现具有较少数目的个别主动组件之静态随机存取记忆体(SRAM)单元。在特定实施侧中，可以双通道场效电晶体之形式提供该自偏压半导体装置，而该双通道场效电晶体可以少于六个电晶体元件形成SRAM单元，且在较佳实施例中，可以少至两个个别电晶体元件形成SRAM单元。