| 摘要 |
本发明关于一种能带隙可被电气改变的半导体装置。本发明之一概念系提供一以嵌入一材料(307)之奈米线(306)为基础的装置，当正确定址时该材料显示一变形，该材料系例如锆钛酸铅(PZT)、氮化铝(AlN)或氧化锌(ZnO)这类的压电材料。该奈米线(306)能藉施加一电压至该材料并藉施加一局部变形至该压电材料(307)而产生可逆应变。所造成的能带隙变化可用以调变从例如一LED或一雷射所放射之光线的颜色。这系由于该带隙比例于所放射光线之频率的结果。在其他应用领域中，半导体接面的接触电阻能被控制，且此特性在记忆体及开关中极具优点。 |
