发明名称 非挥发性记忆体及其操作方法
摘要 一种非挥发性记忆胞,其系由一临界交换薄膜与一记忆交换薄膜所构成。其中,记忆交换薄膜为一记忆单元,而临界交换薄膜为一导向单元。
申请公布号 TW200620626 申请公布日期 2006.06.16
申请号 TW093138334 申请日期 2004.12.10
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 陈士弘;陈逸舟
分类号 H01L27/00;G11C11/00 主分类号 H01L27/00
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行路16号