发明名称 反及型快闪记忆体装置之高电压切换电路
摘要 本发明揭示一种用于一反及型快闪记忆体装置之高电压切换电路,其包括一时脉位准移位器,其用于增加一时脉讯号之振幅;一导通电压产生器,其用于藉由回应于一具有一增加振幅之时脉讯号而泵升一电源电压来输出一导通电压;及一高电压导通电晶体(highvoltage pass transistor),其用于根据该导通电压而传送一高电压。
申请公布号 TW200620824 申请公布日期 2006.06.16
申请号 TW094115827 申请日期 2005.05.16
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 金英珠
分类号 H03K17/72;H03K17/735 主分类号 H03K17/72
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 韩国