发明名称 使用插脚上电容器之高速记忆体模组
摘要 一种用于制造记忆体模组之装置与方法,该等模组具有连接至一记忆体汇流排之多个分支,各分支含有经由至少一传输信号(TS)线及/或至少一次传输信号(STS)线连接至该记忆体汇流排之至少一动态随机存取记忆体(DRAM)装置或同步动态随机存取记忆体(SDRAM)装置。此等记忆体模组包括至少一分支,该至少一分支包含与TS线或STS线以及DRAM装置或SDRAM装置并联连接之一电容器。本发明亦讨论实现此等记忆体模组之一运算系统。
申请公布号 TW200619955 申请公布日期 2006.06.16
申请号 TW094121833 申请日期 2005.06.29
申请人 英特尔公司 发明人 王百宽;张吉
分类号 G06F13/40;G11C7/10 主分类号 G06F13/40
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 美国