发明名称 化合物半导体用锗添加源、使用它之化合物半导体之制法、及化合物半导体
摘要 本发明之目的系提供一种在对化合物半导体添加锗时,尤其是在欲得低电阻之掺锗的n型化合物半导体时之易于使用之锗添加源。本发明之化合物半导体用锗添加源,其特征为由有机锗化合物所构成。
申请公布号 TW200620424 申请公布日期 2006.06.16
申请号 TW094128853 申请日期 2005.08.24
申请人 昭和电工股份有限公司 发明人 奥山峰夫;友泽秀喜
分类号 H01L21/205;C23C16/22;H01L33/00;H01S5/343 主分类号 H01L21/205
代理机构 代理人 何金涂;何秋远
主权项
地址 日本
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