发明名称 |
化合物半导体用锗添加源、使用它之化合物半导体之制法、及化合物半导体 |
摘要 |
本发明之目的系提供一种在对化合物半导体添加锗时,尤其是在欲得低电阻之掺锗的n型化合物半导体时之易于使用之锗添加源。本发明之化合物半导体用锗添加源,其特征为由有机锗化合物所构成。 |
申请公布号 |
TW200620424 |
申请公布日期 |
2006.06.16 |
申请号 |
TW094128853 |
申请日期 |
2005.08.24 |
申请人 |
昭和电工股份有限公司 |
发明人 |
奥山峰夫;友泽秀喜 |
分类号 |
H01L21/205;C23C16/22;H01L33/00;H01S5/343 |
主分类号 |
H01L21/205 |
代理机构 |
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代理人 |
何金涂;何秋远 |
主权项 |
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地址 |
日本 |