| 发明名称 |
半导体基材及在该半导体基材上藉由磊晶生长所制造之半导体装置 |
| 摘要 |
一种半导体基材，其包含GaN基材及在该GaN基材上藉由磊晶方式生长的第III至V族氮化物半导体所形成的单晶层。该GaN基材具有下列所定义的表面取向：由｛0001｝平面朝＜1–100＞方向的表面倾斜角(off–angle)绝对值在0.12度至0.35度的范围内，且由｛0001｝平面朝＜11–20＞方向的表面倾斜角绝对值在0.00度至0.06度的范围内。 |
| 申请公布号 |
TW200620423 |
申请公布日期 |
2006.06.16 |
| 申请号 |
TW094127887 |
申请日期 |
2005.08.16 |
| 申请人 |
东芝股份有限公司 |
发明人 |
橘浩一;本乡智惠;布上真也;小野村正明 |
| 分类号 |
H01L21/205;H01L29/205;H01L33/00 |
主分类号 |
H01L21/205 |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
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| 地址 |
日本 |
