使用具有具不同偏压之多版本相同光罩图样之光罩标线以形成半导体层之方法

摘要

本发明系一种形成半导体装置之半导体层的方法，该方法包括在能量源与半导体晶圆之间插入标线，该标线包括至少二复制光罩图案，每个光罩图案都具有不同的偏压，并且经由快门内的开口以及经由该等至少二复制光罩图案的其中一光罩图案将能量传送出去，以便在半导体晶圆上形成影像。依据所需的偏压来选取出该等至少二复制光罩图案的该其中一光罩图案。该等至少二复制光罩图案是以彼此并排的关系配置，并且平行或横向延伸到该快门的开口。