| 摘要 |
本文所揭露之本发明为一种具有一反向二极体之垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)元件。此元件包括与一汲极区(drain region)隔离之多数个源极区(source region)。一邻近该汲极区之源极区为一第二导电类型之一重掺杂扩散层形成于一第二导电类型之一主体区中的一第一扩散结构。另一源极区为一第一导电类型之一重掺杂扩散层与该第二导电类型之一重掺杂扩散层形成于该第二导电类型之该主体区中的一第二扩散结构。一邻近该汲极区之该源极区之杂质扩散结构经改变以作为一二极体操作，藉此形成一对于ESD(静电放电)或EOS(电过应力)之强电流路径。因此，可能防止该元件崩溃。 |
