发明名称 TFT阵列测试方法及测试装置
摘要 本发明提供一种可抽取TFT阵列之保持电容之电容值及其不均一的测试装置。本发明藉由以下测试方法等解决上述课题,该测试方法系将具备驱动电晶体以及保持电容之像素配置成矩阵状之自发光型元件驱动用TFT阵列基板的测试方法,上述驱动电晶体具有由第一构造材料构成之闸极、以及由第二构造材料构成之源极以及汲极,上述保持电容具有由上述第一构造材料构成之第一电极、以及由上述第二构造材料构成之第二电极;该测试方法包含:对上述保持电容施加第一电压之第一步骤;于上述第一步骤之后,对上述保持电容施加第二电压之第二步骤;于施加上述第二电压之后,测定流动于上述像素之电荷量之第三步骤;及由上述电荷量以及上述第一电压与上述第二电压之电位差,计算上述保持电容之电容值的第四步骤。
申请公布号 TW200620674 申请公布日期 2006.06.16
申请号 TW094125004 申请日期 2005.07.22
申请人 安捷伦科技公司 发明人 近松圣;田岛佳代子
分类号 H01L29/786;G01R31/00;G09F9/00 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国