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改良对瞬变电压之免疫力和降低寄生阻抗之元件、方法、及制程。对非箝制感应开关事件之免疫力得到提高。举例而言，提供具有一SiGe源极之一沟槽–闸式功率MOSFET元件，其中藉降低主体或阱区里的电洞电流，该SiGe源极降低寄生npn电晶体的增益，故此减少一闭锁(latch–up)状态的可能性。位于该元件上之一主体联结(body tie)也可被消除以减小电晶体原胞尺寸。也提供具有一SiGe主体或阱区之一沟槽–闸式功率MOSFET元件。当该主体二极体被导通时，一SiGe主体降低电洞电流，故此降低逆还原之功率损耗。也可改良元件特性。举例而言，透过使用一多晶SiGe闸极而降低寄生闸极阻抗，透过使用靠近元件闸极之一SiGe层而降低通道电阻。 |
