发明名称 在光电二极体上具有多晶矽层之影像感测器与像素感测器
摘要 本发明揭露一种像素适用于互补式金氧半导体(CMOS)或电荷耦合元件(CCD)影像感测器。像素包含一光感测元件,例如一光电二极体,形成于一半导体基板之中。复晶矽层,例如P^+掺杂复晶矽,系形成于光电二极体之上,以减少入射光之反射并且做为一固定层。上述所减少的反射系因为有更大的「讯号」到达光电二极体。
申请公布号 TW200620645 申请公布日期 2006.06.16
申请号 TW094138470 申请日期 2005.11.02
申请人 欧尼影像科技股份有限公司 发明人 霍沃德E. 罗德兹
分类号 H01L27/146;H01L33/00 主分类号 H01L27/146
代理机构 代理人 周信宏
主权项
地址 美国