发明名称 基材外周处理方法及装置
摘要 本发明提高覆膜于晶圆等底材外周部之不需要物质之除去效率,并且防止微粒子等附着于晶圆上。本发明系将除去不需要物所用之反应性气体,从与晶圆90正交之方向观察,大致沿着晶圆90外周部90a之被处理位置之周方向,朝向前述被处理位置,而自喷出喷嘴75喷出。于该喷出方向之比前述被处理位置下游测,在大致沿着前述周方向之方向上,以吸引喷嘴76吸引前述被处理位置之附近。
申请公布号 TW200620459 申请公布日期 2006.06.16
申请号 TW095103091 申请日期 2005.07.08
申请人 积水化学工业股份有限公司 发明人 野上光秀;长谷川平;功刀俊介
分类号 H01L21/3065;H01L21/304;C23F4/00 主分类号 H01L21/3065
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本