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发明名称
利用高功率固态雷射切割氮化镓晶片之装置及其切割方法
摘要
本发明提出一种利用高功率固态雷射切割氮化镓晶片之装置及其切割方法,有一工作平台,将一氮化镓晶片安装到工作平台上,此氮化镓晶片上设置有数晶片,且每二晶粒间刻划有一刻划线,并利用一导光装置将一高功率固态雷射的方向导向氮化镓晶片上之刻划线,且利用一控制装置调整工作平台及高功率固态雷射的位置,使高功率固态雷射准确对准氮化镓晶片上之刻划线,以利用高功率固态雷射切割氮化镓晶片,而分割出数晶粒。本发明可节省人力、成本、时间,并可精准切割氮化镓晶片,而避免伤害到氮化镓晶片表面。
申请公布号
TW200618915
申请公布日期
2006.06.16
申请号
TW093138748
申请日期
2004.12.14
申请人
鹏正企业股份有限公司
发明人
许志铭
分类号
B23K26/00;H01L21/304
主分类号
B23K26/00
代理机构
代理人
林火泉
主权项
地址
桃园县芦竹乡芦兴街91号
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