发明名称 执行阻抗制程校准和最佳化以及执行不同微影系统之间用于提供光学近接效应匹配的绕射光学元件最佳化之方法
摘要 一种使用复数个微影系统以将一制程最佳化之方法。该方法包含以下步骤:(a)使用一第一微影系统,以确定一用于一给定制程与一目标图案之已校准阻抗模式;(b)选取一欲使用之第二微影系统,以使用该给定制程将该目标图案成像,该第二微影系统可以藉由复数个绕射光学元件之其中一者配置,该复数个绕射光学元件各具有对应之可变参数,以将该给定绕射光学元件之性能最佳化;(c)选取该复数个绕射光学元件之其中一者,且使用该复数个绕射光学元件之该选出者模拟该第二微影系统之成像性能;及(d)藉由执行一遗传演算法以将该复数个绕射光学元件之该选出者之成像性能最佳化,该遗传演算法确认将该目标图案之成像最佳化的该复数个绕射光学元件之该选出者之参数值。
申请公布号 TW200619864 申请公布日期 2006.06.16
申请号 TW094129360 申请日期 2005.08.26
申请人 ASML遮盖器具公司 发明人 朴松柏;江枫 陈;阿敏 利伯臣
分类号 G03F7/20;G03B27/72 主分类号 G03F7/20
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 荷兰