供碳化矽半导体装置使用之富含矽之矽化镍欧姆接点

摘要

本发明揭示一种制造一欧姆接点之方法及所得之欧姆接点结构。该方法包括以下步骤：在一温度下于碳化矽表面上按个别比例形成镍与矽之沈积膜，使得沈积膜中之矽的原子分率大于镍的原子分率，在低于该温度时，镍与矽中之任一种元素将与碳化矽反应；及将由镍与矽组成之沈积膜加热至形成其中矽之原子分率大于镍之原子分率的矽镍化合物之温度，但低于任一种元素与碳化矽反应之温度。该方法可进一步包括以下步骤：将矽镍化合物退火至一温度，该温度高于沈积膜之加热温度，且在相位图之不存在自由碳的区域内。