发明名称 半导体装置中用于减少球形有限冶金层剥离和裂化可能性之底孔填料
摘要 一种电子构件,其包括藉导电凸块和球形有限冶金(BLM)而与基板耦合的电子装置。含有填料颗粒之底孔填料系配置于该电子装置和该基板间之空间中。该填料颗粒的重量%是至少约60%。至少90重量%之该填料颗粒的颗粒大小系低于约2微米及/或该填料颗粒经有机偶合剂涂覆。该底孔填料一旦完全固化,其热膨胀系数不超过30PPM/℃,其玻璃化转变温度系至少100℃,且其黏合至该电子装置的钝化层黏合至基板及至该电子装置(边缘处)系使该电子构件通过标准信赖试验且未发生该球形有限冶金剥离的情况。
申请公布号 TW200620591 申请公布日期 2006.06.16
申请号 TW094131665 申请日期 2005.09.14
申请人 英特尔股份有限公司 发明人 徐颂华;陈坦安;杰森 张;凯娜 塞提萨
分类号 H01L23/28;H01L21/56 主分类号 H01L23/28
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 美国