碳氟化合物膜之超临界二氧化碳处理用之方法

摘要

一种氟碳化合物介电膜之处理方法，其系用于将该介电膜整合于一半导体装置上。该方法包含：(a)提供一具有一氟碳化合物膜沉积于其上之基板，其中该膜具有一含有污染物之曝露表面；以及(b)以一超临界二氧化碳流体处理该曝露表面来清洁该曝露表面之污染物，并提供表面终结(surface termination)。该超临界二氧化碳处理系改善含金属膜之膜结构的附着性及电力性质，其中该含金属膜系形成于该氟碳化合物介电膜之表面上。