用于制造使用矽化锗的半导体结构之方法

摘要

碳化矽被使用作为一针对锗之扩散障壁层(18、108)，使一矽层(20、110)可以随后形成而不受到锗污染。本发明系有助于在矽与矽化锗二者皆需存在于同一半导体装置(10)上之情况中，例如提供不同材料以将N与P通道电晶体(27)之间之载体移动率最佳化，及在一矽化锗主体之例子中提供一由矽构成之突出状源极／汲极(134、136)，将矽层(20、110)分隔于矽化锗层(16、106)。