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发明名称
具有区域化应力结构的金属氧化物半导体之场效电晶体
摘要
本发明提供一种具有区域化应力结构的金属氧化物半导体之场效电晶体(MOSFET)。MOSFET主要包括位于源极与汲极区域上的高应力薄膜,且高应力薄膜未覆盖于闸极上,其中拉伸型式的应力薄膜用于在n型电晶体中,而压缩型式的应力薄膜使用于p型电晶体。本发明亦提供一种制造具有区域化应力结构的MOSFET之方法,主要包括下列步骤:形成具有闸极、源极与汲极之电晶体。接着在闸极、源极与汲极上形成高应力薄膜。然后移除位于闸极上的高应力薄膜,而留下源极与汲极上的高应力薄膜。最后在电晶体上形成接触蚀刻终止层。
申请公布号
TW200620479
申请公布日期
2006.06.16
申请号
TW094116328
申请日期
2005.05.19
申请人
台湾积体电路制造股份有限公司
发明人
陈建豪;赵元舜;李资良;陈世昌
分类号
H01L21/335;H01L29/772
主分类号
H01L21/335
代理机构
代理人
蔡坤财
主权项
地址
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号
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