平坦化波纹结构

摘要

制造一波纹结构包括：在一基板(10)上形成一牺牲层(20)以为该波纹结构保护一凹进部分(30)周围之一区域，在该凹进部分内形成一障壁层(40)且与该牺牲层电接触，在该凹进部分内形成该波纹结构(50)，及平坦化。在平坦化期间，该牺牲层与该障壁层或该波纹结构发生电化学反应。此可改变该波纹结构及该牺牲层之一相对移除率，以致减少该波纹结构之表面凹陷或突起，且减少铜残余物并减少障壁腐蚀。该障壁层可藉由ALCVD形成。该障壁材料为WCN及TaN之一或多个。该牺牲层可为TaN、TiN或W。