| 摘要 |
- Procédé pour le traitement en continu d'un substrat verrier dont la dimension perpendiculaire au sens de déplacement le long de ladite installation est supérieure à 1,5 m, ledit procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend entre autres :- une étape mettant en oeuvre une ligne magnétron pour effectuer le dépôt de couches minces successives, ladite ligne comprenant une succession de sections, chaque section comprenant au moins une cathode faite d'un matériau ou d'un précurseur du matériau à déposer et fonctionnant suivant le principe de la pulvérisation cathodique sous l'action d'un plasma généré par décharge électrique dans un gaz plasmagène,- au moins une étape mettant en oeuvre un dispositif à plasma atmosphérique, c'est à dire générant et permettant un traitement par un plasma dans un gaz sensiblement à la pression atmosphérique.- Installation permettant la mise en oeuvre du procédé |
