| 摘要 |
Le domaine général de l'invention est celui de l'électronique de spin encore appelée spintronique, domaine de l'électronique utilisant les propriétés magnétiques de spin des électrons. Les domaines d'application principaux sont le stockage magnétique d'informations à très grande capacité et la mesure de champs magnétiques locaux.Le but de l'invention est de réduire considérablement l'énergie nécessaire au renversement des domaines magnétiques (1,2) des éléments ferromagnétiques de dimensions submicroniques en utilisant le mécanisme de déplacement de parois (3) induit soit par un unique courant (C) de porteurs polarisés en spin, soit par la combinaison d'un courant (C) de porteurs polarisés en spin et d'un champ magnétique (B), l'un au moins étant variable. Ce déplacement de parois entraîne un changement de polarisation magnétique dans une zone de commutation (5) déterminée.Plusieurs dispositifs selon l'invention sont décrits possédant de une zone de commutation à une pluralité de zones de commutation selon l'invention.
|
