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发明名称 METHOD OF FORMING A THIN FILM USING AN ATOMIC LAYER DEPOSITION PROCESS AND METHOD OF FORMING A CAPACITOR OF A SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME
摘要
申请公布号 KR100589062(B1) 申请公布日期 2006.06.12
申请号 KR20040042551 申请日期 2004.06.10
申请人 发明人
分类号 H01L21/205;C23C16/455;C23C16/515;H01L21/8242 主分类号 H01L21/205
代理机构 代理人
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