发明名称 Method for forming copper diffusion barrier of semiconductor device
摘要
申请公布号 KR100588664(B1) 申请公布日期 2006.06.12
申请号 KR20030077756 申请日期 2003.11.04
申请人 发明人
分类号 H01L21/28 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利